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碳化硅狂潮:中國第三代半導體如何打破日美“硅基霸權”?

中投網(wǎng)2025-06-24 08:31 來源:中投顧問產(chǎn)業(yè)研究大腦

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為什么第三代半導體是“新能源時代的戰(zhàn)略石油”?

  • 技術代際碾壓:碳化硅(SiC)器件比硅基IGBT損耗降低70%,體積縮小50%,特斯拉Model 3已全系搭載意法半導體SiC模塊;

  • 政策強制滲透:中國“十四五”規(guī)劃明確2025年新能源車碳化硅滲透率超40%,歐盟碳關稅倒逼SiC供應鏈本土化;

  • 生死競賽節(jié)點:美國Wolfspeed投資10億美元建全球最大SiC晶圓廠,中國三安光電宣布8英寸SiC產(chǎn)線2024年量產(chǎn)。

 

一、技術代差全景圖:中國在“襯底”戰(zhàn)場被鎖死咽喉?

基于Yole 2023年數(shù)據(jù),全球第三代半導體競爭呈現(xiàn)“金字塔型”技術壁壘:

圖表:全球第三代半導體競爭現(xiàn)狀

數(shù)據(jù)來源:中投產(chǎn)業(yè)研究院

致命短板:全球6英寸及以上襯底市場被Wolfspeed、Coherent壟斷95%,中國90%碳化硅粉體依賴日本昭和電工。

二、產(chǎn)業(yè)鏈卡脖子實況:一場“磷化銦級”圍剿戰(zhàn)

  • 材料端

    • 美國AMAT對碳化硅高溫退火設備限售,中國PVT長晶爐良率僅45%(國際水平65%);

    • 日本Flosfia獨占氧化鎵專利,中國產(chǎn)線面臨“一代材料、二代設備、三代工藝”斷層。

  • 專利絞殺

    • Wolfspeed手握1.2萬件SiC專利,中國頭部企業(yè)專利授權量不足其1/10;

    • 2023年美國ITC對三安光電發(fā)起337調查,指控GaN侵權。

三、技術成熟度與資本狂飆的悖論

基于Gartner曲線,中國第三代半導體陷入“投資過熱與產(chǎn)業(yè)化滯后”悖論:

圖表:中國第三代半導體現(xiàn)狀

數(shù)據(jù)來源:中投產(chǎn)業(yè)研究院

矛盾焦點:資本涌入催生“低端GaN快充泛濫”,但車規(guī)級SiC器件國產(chǎn)化率不足5%。

四、三大突圍路徑與資本暗戰(zhàn)

中投產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《“十五五”中國未來產(chǎn)業(yè)之第三代半導體行業(yè)趨勢預測及投資機會研究報告》提出:

(一)材料革命:從“追光者”到“造光者”

  • 技術破局點

    • 山東天岳研發(fā)8英寸半絕緣SiC襯底(位錯密度<0.5e9/cm²);

    • 華為哈勃投資入股科友半導體,押注液相法生長技術(成本降40%)。

  • 風險預警:液相法量產(chǎn)穩(wěn)定性待驗證,國際巨頭已布局SiC襯底回收技術(降本30%)。

(二)生態(tài)重構:綁定新能源巨頭的“華為模式”

  • 比亞迪中試:自研SiC模塊使電驅系統(tǒng)效率提升12%,計劃2025年自給率超60%;

  • 寧德時代布局:投資瞻芯電子,鎖定車規(guī)級SiC車規(guī)認證通道。

(三)標準戰(zhàn)爭:爭奪“碳化硅車規(guī)級”話語權

  • 中國標準:中汽研牽頭制定《電動汽車用SiC器件可靠性測試規(guī)范》;

  • 國際反制:美國SAE發(fā)布J2931標準,要求SiC模塊必須通過AEC-Q101增強認證。

五、投資機會與死亡禁區(qū)

中投產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《“十五五”中國未來產(chǎn)業(yè)之第三代半導體行業(yè)趨勢預測及投資機會研究報告》提示:

(一)黃金賽道

  • 設備國產(chǎn)化:北方華創(chuàng)SiC長晶爐市占率從5%提升至25%(2023年);

  • 第三代封裝:蘇州固锝銀燒結技術突破,熱導率提升至180W/m·K

(二)死亡紅線

  • 低端GaN芯片:價格戰(zhàn)已導致毛利率跌破15%(英諾賽科裁員30%);

  • 二手設備依賴:國內60%碳化硅長晶爐為二手日本ASMI設備(故障率超30%)。

六、風險黑洞:技術、政策與地緣的三重絞殺

中投產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《“十五五”中國未來產(chǎn)業(yè)之第三代半導體行業(yè)趨勢預測及投資機會研究報告》預警:

  1. 專利雷區(qū):住友電工在中國發(fā)起SiC晶圓專利訴訟,索賠超2億美元

  2. 設備斷供:美國BIS擬將碳化硅外延設備列入EAR管制清單;

  3. 技術路線顛覆:氧化鎵、金剛石等第四代半導體技術逼近實驗室拐點。

七、結語:中國第三代半導體的“逆襲公式”

中投產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《“十五五”中國未來產(chǎn)業(yè)之第三代半導體行業(yè)趨勢預測及投資機會研究報告》建議關注:

制勝方程式 = 材料降維 × 生態(tài)綁定 × 標準突圍

  • 企業(yè)策略

    • 技術側:與中科院物理所共建“SiC缺陷工程”聯(lián)合實驗室;

    • 資本側:規(guī)避8英寸產(chǎn)線泡沫,押注車規(guī)級模塊封裝(CAGR 67%);

    • 產(chǎn)業(yè)側:推動“芯片-電驅-整車”鐵三角聯(lián)盟(參考比亞迪垂直整合模式)。

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