中投網(wǎng)2025-04-25 15:04 來(lái)源：中投顧問(wèn)產(chǎn)業(yè)研究大腦
中投顧問(wèn)重磅推出"產(chǎn)業(yè)大腦"系列產(chǎn)品，高效賦能產(chǎn)業(yè)投資及產(chǎn)業(yè)發(fā)展各種工作場(chǎng)景，歡迎試用體驗(yàn)！ | ||||
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未來(lái)產(chǎn)業(yè)涵蓋了 6 個(gè)大的產(chǎn)業(yè)方向，范圍廣泛，涉及眾多領(lǐng)域。為了幫助地方政府和企業(yè)在研究未來(lái)產(chǎn)業(yè)機(jī)會(huì)時(shí)能夠精準(zhǔn)把握重點(diǎn)，中投顧問(wèn)從未來(lái)產(chǎn)業(yè)中精心篩選出了 20 個(gè)商業(yè)價(jià)值最大的關(guān)鍵技術(shù)。這些技術(shù)包括合成生物學(xué)技術(shù)、第三代疫苗技術(shù)、生物育種技術(shù)、干細(xì)胞技術(shù)等，它們?cè)卺t(yī)藥、農(nóng)業(yè)、能源、健康等多個(gè)領(lǐng)域都展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力和商業(yè)價(jià)值。
中投產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的一系列關(guān)于關(guān)鍵技術(shù)的研究報(bào)告，詳細(xì)闡述了這些技術(shù)的各個(gè)方面。報(bào)告內(nèi)容涵蓋技術(shù)的基本原理、發(fā)展現(xiàn)狀、應(yīng)用領(lǐng)域、研發(fā)機(jī)構(gòu)以及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)等。
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高端芯片技術(shù)作為現(xiàn)代科技的關(guān)鍵領(lǐng)域，其每一次重大突破都離不開(kāi)眾多業(yè)內(nèi)專(zhuān)家的智慧與努力。這些專(zhuān)家憑借深厚的學(xué)術(shù)造詣、豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)和卓越的創(chuàng)新能力，引領(lǐng)著高端芯片技術(shù)不斷向前發(fā)展，重塑全球科技與產(chǎn)業(yè)格局。
胡正明：“3D 晶體管之父”
胡正明 1947 年 7 月出生于北京，美籍華人，是微電子學(xué)領(lǐng)域的杰出代表 。他在國(guó)立臺(tái)灣大學(xué)獲得電機(jī)工程學(xué)士學(xué)位后，又于美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校取得電機(jī)及計(jì)算機(jī)碩士和博士學(xué)位。1999 年，胡正明開(kāi)發(fā)出鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET），這項(xiàng)發(fā)明堪稱(chēng)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展歷程中的重大變革，他也因此被譽(yù)為 “3D 晶體管之父” 。英特爾率先采用該技術(shù)，有效突破了當(dāng)時(shí)晶體管無(wú)法進(jìn)一步微型化的瓶頸，推動(dòng)半導(dǎo)體性能提升、成本降低。在微電子微型化物理及可靠性物理研究方面，胡正明成果豐碩，出版五本學(xué)術(shù)專(zhuān)著，發(fā)表 900 余篇研究論文，擁有 100 多項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利 。他所領(lǐng)導(dǎo)研究出的 BSIM 數(shù)學(xué)模型，從實(shí)際 MOSFET 晶體管復(fù)雜物理特性推演而來(lái)，1997 年被選為設(shè)計(jì)芯片的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn) 。在微電子器件可靠性物理領(lǐng)域，他提出熱電子失效、薄氧化層失效的物理機(jī)制，開(kāi)發(fā)出快速預(yù)測(cè)器件壽命的方法，并首創(chuàng) IC 可靠性的計(jì)算機(jī)數(shù)值模擬工具 。胡正明榮獲諸多國(guó)際大獎(jiǎng)，包括 1998 年美國(guó)科學(xué)學(xué)會(huì) Monie Ferst Award 獎(jiǎng)、1999 年潘文淵基金會(huì)杰出研究獎(jiǎng)、2015 年美國(guó)國(guó)家技術(shù)和創(chuàng)新獎(jiǎng)以及 2020 年 IEEE 榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)碌? 。
陳文良：助力存算一體技術(shù)突破
陳文良 1988 年畢業(yè)于上海復(fù)旦大學(xué)，后在美國(guó)耶魯大學(xué)獲得應(yīng)用物理博士學(xué)位 。他先后任職于英特爾微處理器設(shè)計(jì)部門(mén)和 Cypress 存儲(chǔ)技術(shù)開(kāi)發(fā)部門(mén)，曾任 Cypress 特殊 DRAM 產(chǎn)品工程高管，在存儲(chǔ)和邏輯技術(shù)方面經(jīng)驗(yàn)豐富 。目前擔(dān)任愛(ài)普?qǐng)?zhí)行長(zhǎng)的陳文良，在臺(tái)積電、力晶、愛(ài)普三方合作開(kāi)發(fā)堆疊式邏輯與存儲(chǔ)芯片技術(shù)中發(fā)揮了關(guān)鍵作用 。愛(ài)普提供的 IP 技術(shù)，通過(guò)特殊客制化設(shè)計(jì)，使 DRAM 芯片和邏輯芯片接口吻合，實(shí)現(xiàn)存算一體（Computing in Memory）技術(shù)概念，為解決傳統(tǒng)馮?諾依曼計(jì)算架構(gòu)在人工智能芯片時(shí)代的不適配問(wèn)題提供了新路徑 。這項(xiàng)采用臺(tái)積電 16nm 和 7nm 工藝技術(shù)的合作成果，有望大幅提升芯片傳輸速度，展示了存算一體技術(shù)在高端芯片領(lǐng)域的應(yīng)用潛力 。
孫楠：歸國(guó)破局的芯片先鋒
孫楠，作為集成電路高精尖創(chuàng)新中心研究員，是破解芯片 “卡脖子” 難題的歸國(guó)科研先鋒 。2020 年歸國(guó)后，他帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)在清華大學(xué)開(kāi)展高端芯片研發(fā)工作，短短四年多時(shí)間成功研發(fā) 50 多款頂尖芯片 。2023 年，孫楠榮獲第三十五屆北京青年五四獎(jiǎng)?wù)�，以表彰他在集成電路領(lǐng)域的突出貢獻(xiàn) 。他聚焦深度學(xué)習(xí)和基于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等高端芯片技術(shù)領(lǐng)域，2023 年團(tuán)隊(duì)研制出的新款憶阻器存算一體芯片成果顯著 。該芯片將存儲(chǔ)和計(jì)算功能融合，打破傳統(tǒng)架構(gòu) “存儲(chǔ)墻” 瓶頸，顯著提升數(shù)據(jù)處理速度與能效比，為人工智能、大數(shù)據(jù)處理等對(duì)算力要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景提供高效解決方案，增強(qiáng)了我國(guó)在高端芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的創(chuàng)新能力與技術(shù)儲(chǔ)備 。
黃漢森：推動(dòng)半導(dǎo)體工藝進(jìn)步
黃漢森擁有斯坦福大學(xué)電機(jī)工程系終生教職，在新型態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域造詣深厚 。2018 年，臺(tái)積電任用他接替原技術(shù)長(zhǎng)職務(wù)，出任技術(shù)研究組織主管，旨在強(qiáng)化臺(tái)積電在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)深度 。在臺(tái)積電，黃漢森積極推動(dòng)半導(dǎo)體工藝持續(xù)進(jìn)步 。他不僅探討未來(lái)半導(dǎo)體工藝延續(xù)到 0.1nm 的可能性，還宣布臺(tái)積電啟動(dòng) 2nm 工藝研發(fā)，預(yù)計(jì)四年后問(wèn)世 。此外，臺(tái)積電在 5nm、3nm 制程工藝上進(jìn)展順利，部分成果已應(yīng)用于實(shí)際生產(chǎn)，為蘋(píng)果、AMD、華為等眾多客戶(hù)提供高性能芯片制造服務(wù)，在提升芯片性能、縮小芯片尺寸等方面不斷突破，黃漢森及其團(tuán)隊(duì)的工作發(fā)揮了重要作用 。
這些高端芯片技術(shù)領(lǐng)域的專(zhuān)家，在不同方向、不同環(huán)節(jié)為行業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)力量 。他們或是在基礎(chǔ)研究領(lǐng)域取得理論突破，或是在技術(shù)應(yīng)用層面實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新落地，或是在工藝研發(fā)上推動(dòng)行業(yè)進(jìn)步 。隨著高端芯片技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈，他們將繼續(xù)憑借專(zhuān)業(yè)知識(shí)與創(chuàng)新精神，引領(lǐng)行業(yè)攻克技術(shù)難題，為科技發(fā)展與產(chǎn)業(yè)升級(jí)注入強(qiáng)勁動(dòng)力 。
產(chǎn)業(yè)投資與產(chǎn)業(yè)發(fā)展服務(wù)一體化解決方案專(zhuān)家。掃一掃立即關(guān)注。
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